nitruro di gallio gan produttore di substrati cristallini dalla Cina

il substrato di HVPE è: omoepitassia, gan su gan
omogeneità: alta qualità, alto costo, tecnologia difficile (dislocazione 103-106 / cm2)
  • Oggetto numero:

    GS-C012
  • Pagamento:

    L/C、 Western Union、 D/P、 T/T
  • Origine del prodotto:

    Anhui, China
  • Dimensione massima:

    Dia100mm
  • orientamento:

    <0001>、<10-10>
  • pacchetto:

    100 clean bag,1000 exactly clean bag
  • Dettagli del prodotto

  • Specifiche

  • Flusso di processo

  • Confezione

  • Trasporto

  • FAQ

Specifiche per wafer gan autoportanti da 2 pollici


articolo

specifica

specificazione del cristallo

produzione(aggiornamento)

ricerca(grado)

manichino (dgrade)

tipo cristallino

monocristallo

orientamento

(0 0 0 1) gaface

c-piano fuori angolo verso l'asse

0.5° ±0.15°

c-piano fuori angolo verso l'asse

0° ±0.15°

(002)FWHM

< 100 sec

(102)fwhm

< 100 sec

raggio di curvatura reticolare

> 10 m (misurato all'80% xdiametro)




specifica elettrica

elementi doping

resistività a temperatura ambiente (300k)

tipo n(silicio)

≤0.02ohm-cm

fluido

≤0.2ohm-cm

semiisolante (carbonio)

> 1e8ohm-cm

specificazione della forma

orientamento piatto maggiore

piano m (10-10), ±2°(st),±2° (

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