substrato di film di gan su misura substrato di ossido di zinco zno a cristallo singolo

Il materiale zno è una sorta di materiale semiconduttore a gap largo con gap di banda diretto
  • Oggetto numero:

    GS-C007
  • Pagamento:

    L/C、 Western Union、 D/P、 T/T
  • Origine del prodotto:

    Anhui, China
  • Dimensione massima:

    25*25mm
  • orientamento:

    <0001>、<1-100>、<11-20>
  • pacchetto:

    100 clean bag,1000 exactly clean bag
  • Dettagli del prodotto

  • Flusso di processo

  • Confezione

  • Trasporto

  • FAQ

Il materiale zno è un tipo di materiale semiconduttore a gap largo con gap di banda diretto. è un tipo di cristallo multifunzionale con luminescenza, elettro-ottica, scintillazione, semiconduttore e altre proprietà. è un eccellente substrato materiale per film e dispositivi zno, gan epitassiali. ha un grande potenziale di sviluppo in dispositivi a emissione di luce a lunghezza d'onda corta, come LED e LDS, ed è diventato un altro punto di riferimento della ricerca nel campo dei semiconduttori a gap ampio dopo gan.

purezza% in peso

impurità:% in peso

> 99.99
mg: <.0005 al: < .0030 si: 0.0030 ti: .0010 cu: < .0030 fe: < 0.005 ca: <.0005 ag : < .0002

struttura di cristallo

esagonale: au003d 3.252Å, c u003d 5.313Å

metodo di crescita

idrotermale

durezza

Scala 4 moh

densità

5.7 g/cm3

punto di fusione

1975 ott

calore specifico

0.125 cal/gr

costante termoelettrica

1200 mv /ok @ 300 oc

conduttività termica

0.006 cal/cm/ok

dilatazione termica

2.90 x 10-6/ok

raggio di trasmissione

0.4 - 0.6 m > 50% a 2 mm

densità di dislocazione

<0001> piano <100 / cm2

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